此外，辛保席国随着机器学习的不断发展，深度学习的概念也时常出现在我们身边。

已授权中国和日本发明专利14项，安出国际会议特邀报告5次。研究方向主要为生物材料表面/界面行为，家电宽禁带半导体异质集成等，家电共参与发表论文18篇（第一作者11篇），其中SCI收录15篇，EI收录2篇,9篇为一区期刊，包括《ActaBiomaterialia》、《ACSAppliedMaterialsInterfaces》、《CorrosionScience》、《JournalofMagnesiumandAlloys》、《JournalofMaterialsScienceTechnology》等，申请国家专利5项，3项已授权。

图6.培养24小时和72小时后HUASMCs增殖行为分析(a)25%;(b)50%;(c)100%浓度的提取液培养HUASMCs增殖图7.培养24小时和72小时后HUVECs增殖行为分析(a)25%;(b)50%;(c)100%浓度的提取液培养HUVECs增殖【总结与展望】本研究开发出的高效真空紫外光辅助沉积仿生聚多巴胺涂层技术跳出了传统浸泡法沉积效率低的困境，网两基于稳定的Zn/UVPDA化学连接平台有效地在可降解Zn金属表面修饰了可载药的聚乳酸涂层。通过真空紫外光辅助沉积法在pH=8.5,沉积时间40min的条件下，大工Zn表面修饰的PDA涂层(Zn/UVPDA)厚度为0.48±0.12μm(如图2b所示)，大工沉积速率为720nm/h，与传统浸泡法和目前所报道的大多研究相比，效率提高了1~2个数量级。在可降解金属表面修饰仿生的聚多巴胺(PDA)涂层可以增强基体的耐腐蚀性能，程开同时也有利于其他功能化涂层，如可载药的聚乳酸(PLGA)的后续修饰。

通过体外生物实验发现，工动上述结构能够抑制溶血率和平滑肌细胞（SMC）增殖。如图4所示，辛保席国Zn/UVPDA/PLGA结构在长期的浸泡实验中仍然保留了较完整的连接包覆结构，产生的腐蚀产物[Zn5(OH)6(CO3)2/Zn3(PO4)2]的量也少于其他组。

因此，安出Zn/UVPDA/PLGA结构的失效过程包括涂层变形、裂纹产生和直接断裂。

家电图3.Zn/PLGA和Zn/UVPDA/PLGA结构拉伸测试及SEM观察(a-d)Zn/PLGA。到目前为止，网两尽管很多文献报道了在高熵合金中同时提高强塑性的方法，但本文提出的则为一种新的策略，机理上不同于以前的策略。

通过orwan机制，大工第二相硬质粒子可以有效阻碍变形时位错的运动，从而提高材料的强度。(E)在不同温度下(如所示)1小时，程开对制备样品和退火样品中的Mg浓度进行EDS线扫描。

c,ADF-STEM图像，工动显示高密度的晶内纳米沉淀物(明亮的颗粒)。多主元高熵合金的强度提高往往伴随塑性的降低，辛保席国这种强塑性相互矛盾主要来源于金属材料的塑性变形机理。